1. IPP052NE7N3 G
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPP052NE7N3 G 

产品描述

MOSFET N-channel POWER MOS

内部编号

173-IPP052NE7N3-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:730
1+¥9.1689
25+¥8.5526
100+¥8.1673
500+¥7.8591
1000+¥7.4738
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:752
1+¥13.8805
10+¥11.2138
100+¥8.9574
500+¥7.8634
1000+¥6.5095
2500+¥6.0445
5000+¥5.8189
10000+¥5.3813
最小起订量:1
美国加州
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IPP052NE7N3 G产品详细规格

规格书 IPP052NE7N3 G datasheet 规格书
IPP,IPI052NE7N3 G
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 75V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 80A
Rds(最大)@ ID,VGS 5.2 mOhm @ 80A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3.8V @ 91µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 68nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 4750pF @ 37.5V
功率 - 最大 150W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 PG-TO220-3
包装材料 Tube

IPP052NE7N3 G系列产品

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